Speichervorrichtung

Abstract

Es ist ein Phasenübergangsspeicher mit verbesserter Haltecharakteristik einer Phasenübergangsvorrichtung und ein Verfahren zum Auffrischen des Phasenübergangsspeichers offenbart. Es wird die Tatsache ausgenutzt, dass der Speicher ein DRAM-Schnittstellen-kompatibler Speicher ist. Es sind Blindzellen 109, 110 vorgesehen, die in Übereinstimmung mit der Anzahl von Lese- und Schreiboperationen belastet werden. Änderungen im Widerstandswert der Blindzellen werden jeweils durch Komparatorschaltungen 111, 112 detektiert. Wenn der Widerstandswert sich über einen vorbestimmten Referenzwert (das heißt auf einen niedrigen Widerstand) hinausgehend geändert hat, stellt eine Auffrischanforderungsschaltung 107 eine Anforderung an eine nicht gezeigte interne Schaltung, um das Auffrischen zu bewirken. Die Speicherzellen und die Blindzellen werden vorübergehend aufgefrischt und es werden Änderungen des programmierten Widerstandswertes der Phasenübergangsvorrichtungen korrigiert, um sowohl die Spanne sicherzustellen als auch die Haltecharakteristika zu verbessern.

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